Гадоев Сабзаали Мухшулович – канд. техн. наук, доцент, зав. кафедрой физической электроники Таджикского национального университета, г. Душанбе, тел.: +992 907 813980, e-mail: Gadoev_59@mail.ru
ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ СПЕКТР РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ, ОБРАЗУЮЩИХСЯ В N- И Р-КРЕМНИИ ПРИ ОБЛУЧЕНИИ АЛЬФА-ЧАСТИЦАМИ И НЕЙТРОНАМИ
Проведены исследования эффективностей образования и рекомбинационных свойств дефектов в n- и р-кремнии в широком диапазоне уровней легирования при облучении альфа-частицами (Е = 4,7 МэВ) и нейтронами (Е = 1,14 МэВ). Определено энергетическое положение уровней радиационных дефектов.
Ключевые слова на русском языке:облучение; дефекты; структура; параметр; характеристика
ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ СПЕКТР РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ, ОБРАЗУЮЩИХСЯ В N- И Р-КРЕМНИИ ПРИ ОБЛУЧЕНИИ АЛЬФА-ЧАСТИЦАМИ И НЕЙТРОНАМИ
Проведены исследования эффективностей образования и рекомбинационных свойств дефектов в n- и р-кремнии в широком диапазоне уровней легирования при облучении альфа-частицами (Е = 4,7 МэВ) и нейтронами (Е = 1,14 МэВ). Определено энергетическое положение уровней радиационных дефектов.
Ключевые слова на кыргызском языке:облучение; дефекты; структура; параметр; характеристика
ENERGY SPECTRUM OF THE RADIATING DEFECTS FARMED IN N- AND P- SILICON AT AN IRRADIATING ALPHA-PARTICLES AND NEUTRONS
In n and p silicon researches of efficacy of formation and recombination properties of defects are conducted in a wide range of levels of doping at an irradiating by alpha-particles (E = 4,7 Mew) and neutrons (E = 1,44 Mew). Power position of levels of radiating defects is defined.
Ключевые слова на английском языке:irradiation; defect; structure; parameter; characteristic