Гадоев Сабзаали Мухшулович – канд. техн. наук, доцент, зав. кафедрой физической электроники Таджикского национального университета, г. Душанбе, тел.: +992 907 813980, e-mail: Gadoev_59@mail.ru
ТЕМПЕРАТУРНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ ЭФФЕКТА ЗАЩЁЛКИВАНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ
Исследовано изменение важнейших параметров эффекта защелкивания комплементарных металл-окисел полупроводниковых интегральных схем (КМОП ИС). С помощью этой модели можно достаточно адекватно прогнозировать температурные зависимости параметров эффекта в КМОП ИС структур, что позволяет рекомендовать их для исследования систем автоматизации проектирования (САПР) КМОП ИС.
Ключевые слова на русском языке:структура; ток удержания; эффект; микросхема; температура; защелкивание
ТЕМПЕРАТУРНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ ЭФФЕКТА ЗАЩЁЛКИВАНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ
Исследовано изменение важнейших параметров эффекта защелкивания комплементарных металл-окисел полупроводниковых интегральных схем (КМОП ИС). С помощью этой модели можно достаточно адекватно прогнозировать температурные зависимости параметров эффекта в КМОП ИС структур, что позволяет рекомендовать их для исследования систем автоматизации проектирования (САПР) КМОП ИС.
Ключевые слова на кыргызском языке:структура; ток удержания; эффект; микросхема; температура; защелкивание
TEMPERATURE DEPENDENCE OF PARAMETERS OF EFFECT LATCH-UP OF INTEGRATED MICROCIRCUITS
The article considers change of parameters of effect latch-up complementary metal-oxide of the semiconductor integrated circuits (CMOS IS). By means of this model it is possible to predict adequately enough temperature dependences of parameters of effect in CMOS IS structures that allows to recommend than for research in structure (SAPR) CMOS IS.
Ключевые слова на английском языке:structure; holding; current; the effect; chip; temperature; latch-up