Таштанбаев Нарбай Ормотоевич – ст. преподаватель кафедры электроники и теоретической физики Кыргызского национального университета им. Ж. Баласагына, тел.: +996-555 488838, e-mail: tashtanbaevnarbai@mail.ru
Бейшекеева Гульмира Джумабаевна – канд. физ.-мат. наук доцент кафедры физики факультета физики и электроники Кыргызского национального университета им. Ж. Баласагына, тел.: +996-555 999938, e-mail: g_beishekeeva@mail.ru
Дуйшенова Жамиля – ст. преподаватель кафедры физики Кыргызского национального аграрного университета им. К.И. Скрябина, г. Бишкек, тел.: +996-702 258597
ПОЛУЧЕНИЕ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ ПЛЕНОК PBSE И ИЗУЧЕНИЕ ВЛИЯНИЯ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ РЕЖИМОВ НА ИХ ПАРАМЕТРЫ
Приводятся результаты получения фоточувствительных пленок PbSe на фотостекле, которые используются в электронике и оптоэлектронике при изготовлении инфракрасных преобразователей, которые широко применяются в телеаппаратуре, тепловизорах и др. Рассмотрена активация пленок в кислородсодержащей атмосфере, а также их температурный отжиг. Показано, что дефектность подложек сильно влияет на спектральную характеристику фоточувствительных пленок. Разработаны технологические режимы активации, вакуумного отжига и оптимизированы температура подложки и испарителя. В процессе термической активации наблюдается деформационное влияние оксидных фаз на основную фазу в переходной области окисел-полупроводник.
Түйүндүү сөздөр орус тилинде:халкогениды свинца; полупроводниковые пленки; фотопроводимость; температурный отжиг; поликристалл; активация
ФОТОСЕЗГИЧ PBSE ПЛЕНКАЛАРЫН АЛУУ ЖАНА ТЕХНОЛОГИЯЛЫК РЕЖИМДЕРДИН АЛАРДЫН ПАРАМЕТРЛЕРИНЕ ТИЙГИЗГЕН ТААСИРИН ИЗИЛДӨӨ
Бул макалада фото айнектин бетине PbSe фотосезгич пленкаларын алуунун технологиясы келтирилген. Алар электроникада жана оптоэлектроникада телеаппаратура, тепловизор ж.б. колдонулуучу инфра кызыл өзгөрткүчтөрдү жасоодо кенири колдонулат. Кычкылтектүү атмосферада пленкаларды активдештирүү, ошондой эле алардын каныгуу температурасы каралган. Фотопленка төшөлө турган материалдагы дефекттер фото сезгич пленкалардын спектралдык мүнөздөмөсүнө өтө чоң таасирин тийгизет. Активдештирүүнүн, вакуумда каныктыруунун технологиялык режимдери иштелип чыкты жана фотопленка төшөлө турган материалдын жана бууланткычтын температурасы оптималдаштырылды. Термикалык активация процесси учурунда кычкыл-жарым өткөргүчтүн өтүү областына оксиддик фазалардын деформациялык таасири байкалган.
Түйүндүү сөздөр кыргыз тилинде:коргошун халкогениддери; жарым өткөргүчтүү пленкалар; фото өткөрүмдүүлүк; температуралык каныгуу; поликристалл; активдешүү
RECEIVING PHOTO-SENSITIVE PBSE AND STUDYING THE EFFECT OF TECHNOLOGICAL MODES ON THEIR OPTIONS
The article discusses the results of obtaining the photosensitive PbSe films on photo crystal, that used in production of infrared and optoelectronic converters and that are widely used in making TV sets and other devices. Furthermore, the authors reviewed also materials that are activated films in the atmosphere and their annealing. It is shown that the
defectiveness of the substrates strongly influences the spectral characteristic of photosensitive films. Technological modes of activation, vacuum annealing have been developed and the temperature of the substrate and the evaporator has been optimized. During thermal activation, the deformation effect of oxide phases on the main phase in the transition region of the oxide-semiconductor is observed.
сhalconides of lead; semi conductive films; photoconductive; temperature annealing; polycrystalline; activation